酸化ガリウム盛り上がっていますね。
バンドギャップが大きいためバリガー指数が良く出る、基板ウエハの製造が比較的簡単、ので期待が高いように思います。

しかし、まだまだ課題も多くそれらがSiCのメリットを凌駕するまではなかなか難しいのではないでしょうか。個人的には今後のブレークスルーが複数必要と思います。それは、
　・物性：熱伝導率（デバイス化(熱設計)）
　・ドーピング：p型（素子設計）、高濃度（低抵抗化、接合）
　・素子化：良質な絶縁膜形成（素子配線、信頼性）
などなど。。2)によく書かれているように思いますがどうでしょうか、よんでらっしゃいますかね f(^^;

＜参考＞
1) バリガー指数：http://www.sicalliance.jp/page/page000083.html
2) JSTの「酸化ガリウムの新規ワイドギャップ半導体としての
電子デバイス応用へ向けた技術開発課題」：https://www.jst.go.jp/lcs/pdf/fy2018-pp-07.pdf

ご回答いただきありがとうございます。
勉強になります。