スイッチ素子を現実に近い形で素子を組み合わせて模擬することはできますか?
■Ver.10以降 Ver.10のバージョンアップにて、MOSFETの過渡応答を考慮したモデルが追加されました。
MOSFET(3-state)のモデルレベルを「レベル2」に設定すると過渡応答を考慮します。
IGBTについては過渡応答を考慮したモデルに対応していませんので、動作のモデリングが必要となります。
■Ver.9以前
模擬することは可能だと考えられますが、MOSFETやIGBTについては構造が複雑なためモデリングしたことはありません。
PSIMの素子は理論的な動作をしますので、
ご希望の素子を正確にモデリングすれば、
現実に近い形の素子を模擬することが可能です。