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SiC/GaNのゲートドライブ技術と実際

2024年10月11日(金) 13:00~16:00

 

特長
・SiCやGaNのゲートドライブの実際を学ぶセミナーです.
・講師自身の失敗や気づきに基づいて構成されています.
・SiCやGaNの概要,そして確実なゲートドライブ法を学びます.
対象
・DCDCコンバータの開発実務者でSiCやGaNの採用を検討している方
・SiCやGaNで失敗しその原因を整理されたい方
・確実なSiCやGaNのゲートドライブ法を学びたい方
・さらにDCDCコンバータの周辺技術を学びたい方
学べること
このセミナー通じて次のような能力が身に付きます.
・SiCやGaNという最新デバイスへの理解
・ゲートドライブで起こる現象を深く理解する
・ゲートドライブの確実な方法を身に着ける
概要
 SiCとGaNを失敗なく動作させる事に特化したセミナーです.講師自身の失敗や気づきに基づいて構成されています.
 まずはSiCやGaNの概要からスタートし,ゲートドライブで起こる現象,確実にゲートドライブする方法,ゲートドライブ回路への電源の供給方法,安全機能などを学びます.
 本講座では,DCDCコンバータの基本的な理論や回路方式などは解説しいたしません.これはわかっているものといたします.
プログラム
1,プロローグ
・SiCとGaNを使った開発で失敗が多発しこれは別物であることを知った
・だが実験を重ねるうちに気づきと攻略法が次々と見えてきた

2,SiC
・IGBTの限界
・SiCの概要
・代表的な製品のスペックを通じて

3,GaN
・GaNの概要
・代表的な製品のスペックを通じて

4,ゲートドライブで起こる現象
・ゲートドライブで何が起こっているのか
・ミラー効果
・基本セオリーを守る

5,コンプメンタリ使用での問題点
・速すぎるゆえの問題点
・貫通電流の発生とそのメカニズム
・計算を通じてその現象を掌中にする

6,ゲートドライブの実際
・SiCのゲートドライブ法とポイント
・GaNのゲートドライブ法とポイント
・GaNドライブの秘密兵器
・SiCとGaNにおけるブートストラップ法を考察する
・コントロール信号を確実に届ける

7,実際のボードでのレポート
・実際を通して見えてきた数々のポイント
・プリント基板の設計
講師
電源開発のプロがフィードバッグ制御の基礎をお伝えします!
有限会社レムフクラフト 浜田 智先生 1982年大阪府立布施工業高等学校電気科卒業(現:布施工科高等学校)。
同年 株式会社荏原電産入社。主にインバータ制御ポンプシステムの設計に従事。

1996年有限会社レムフクラフト設立。

現在、レーザー応用機器の開発、電源を含むアナログ回路設計のセミナ講師などを行っている

有限会社レムフクラフト
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日程・受講料
開催日
【web】2024年10月11日(金)
期間
半日
時間
13:00 ~ 16:00
受講料
25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)
当日までのご準備
1.Webセミナーアプリ(Zoom)のインストール
  ・インストールはこちらから。
  ・Zoomの仕様や推奨環境についてはこちらから。
  ・Zoomの利用方法はこちらから。
  アプリのインストールが難しい場合、ブラウザでの参加も可能です。詳しくはこちらをご覧ください。
当日の持ち物
1.マイク機能付きパソコン
2.講義資料(事前に協会より郵送します。)
3.筆記用具
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主催
日本パワーエレクトロニクス協会
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