・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性の概略を座学学習する。
・ダブルパルス試験による特性評価法を学び、試験方法と評価項目を理解する。
・ダブルパルス試験に基づき、Si-IGBT, SiC-MOSFET, GaN-HEMTを用いた8種類の測定（電圧波形、電流波形、スイッチング損失）を行い、各種パワーデバイスの動特性を実測する。

・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性を実測したい方
・ダブルパルス試験による特性評価法を学びたい方
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測したい方

・半導体パワーデバイスのスイッチング特性が体感できます。
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測するので、パワーデバイスの使い方や素子としての違いが理解できます。
・パワーエレクトロニクス回路の設計時に、パワー半導体デバイスの選択の知識や経験として役立ちます。

・パワー半導体スイッチングデバイスの特性を座学と実験を通して体感するものです。
　デバイスの評価方法や実際の計測器の使い方、ポイントなどもお伝えします。
・ダブルバルス試験は、国立大学の電気電子関連学科の実験科目としてカリキュラムには入っていません。
　主回路の開発者、パワー半導体デバイスの部品選定者には必須となる試験です。
・当日のテキストは、座学と実験書から構成されます。

10:30～10:35　全体説明
10:35～11:05　電気回路視点からのパワーデバイスの特徴
11:05～12:00　ダブルパルス試験と試験条件の決め方、実験方法、評価項目
13:00～17:00　スイッチング特性測定実験

　８種類の試験回路；

回路 名称	パワーデバイス	測定電圧	ピーク電流	ゲート回路	ダイオード	特徴
A	Si-IGBT (Discrete) RGTH00TS65D 定格：650V, 85A	300V	30A	ー	内臓ダイオード	本実験の基準とする
B	Si-IGBT (2 in 1 module) 2MBI100VA-120-50 定格：1200V, 100A	600V	50A	ピーク電流 1.5A​​​​​​	内臓ダイオード	素子定格がA回路よりも大きい
C	Si-IGBT (2 in 1 module) 2MBI100VA-120-50 定格：1200V, 100A	600V	50A	ピーク電流 1.0A​​​​​​	内臓ダイオード	ゲート回路の駆動能力がB回路よりも低い
D	Si-IGBT (Discrete) RGTH00TS65D 定格：650V, 85A	300V	30A	ー	SiCショットキー バリアダイオード SCS240AE2-E	A回路のダイオードをSiC-SBDに換装
E	SiC-MOSFET (Discrete) SCT3030AL 定格：650V, 70A	300V	30A	ー	ボディダイオード	A回路の両IGBTをSiC-MOSFETに換装
F	SiC-MOSFET (2 in 1 module) BSM120D12P2C005 定格：1200V, 120A	600V	50A	ー	ボディダイオード	素子定格がE回路よりも大きい
G	GaN-HEMT (Discrete) EPC9025 定格：300V, 6.3A	200V	3A	ー	GaN-HEMT	GaNデバイス使用 小電力用デバイス
H	GaN-HEMT (Discrete) GS66508B-TR 定格：650V, 30A	300V	30A	ー	GaN-HEMT	GaNデバイス使用 小電力用デバイス

 

長年パワエレ研究に従事してきた講師が、デバイス評価のポイントをお伝えします！
	横浜国立大学 寄附講座教授／名誉教授 1981年東京大学博士課程修了（工学博士）。 米国ミズーリ大助教授、横浜国立大学院工学研究院教授（名誉教授）などを経て、現在は寄付講座教授。 専門はパワーエレクトロニクス、ディジタル制御、モーションコントロール、電気自動車駆動系、２足歩行ロボットなど。 電気学会、IEEE、Fellow。
	横浜国立大学　工学研究院　知的構造の創生部門　准教授 2015年9月　千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻電気電子系コース博士後期課程修了。博士（工学）。 2015年10月　首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻特任研究員。 2016年4月　横浜国立大学大学院工学研究院助教， 2019年4月　同大学寄附講座講師， 2021年4月　同大学准教授，現在に至る。 主として，マルチレベル電力変換器，アクティブゲート制御などの研究に従事。

先着、最大９名まで。最大定員に達した場合、受講をお断りする場合があります。
最小４名から。開催３週間前に最小定員に満たない場合、受講をお断りする場合があります。

特になし。

１．筆記用具
２．名刺（セミナー終了後30分間名刺交換会を開催します。）
３．講義テキスト

横浜国立大学

日本パワーエレクトロニクス協会