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パワー半導体デバイスのダブルパルス試験

2025年12月22日(月) 10:30~17:30
会場:横浜国立大学

 

特長
・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性の概略を座学学習する。
・ダブルパルス試験による特性評価法を学び、試験方法と評価項目を理解する。
・ダブルパルス試験に基づき、Si-IGBT, SiC-MOSFET, GaN-HEMTを用いた8種類の測定(電圧波形、電流波形、スイッチング損失)を行い、各種パワーデバイスの動特性を実測する。
対象
・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性を実測したい方
・ダブルパルス試験による特性評価法を学びたい方
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測したい方
学べること
・半導体パワーデバイスのスイッチング特性が体感できます。
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測するので、パワーデバイスの使い方や素子としての違いが理解できます。
・パワーエレクトロニクス回路の設計時に、パワー半導体デバイスの選択の知識や経験として役立ちます。
概要
・パワー半導体スイッチングデバイスの特性を座学と実験を通して体感するものです。
 デバイスの評価方法や実際の計測器の使い方、ポイントなどもお伝えします。
・ダブルバルス試験は、国立大学の電気電子関連学科の実験科目としてカリキュラムには入っていません。
 主回路の開発者、パワー半導体デバイスの部品選定者には必須となる試験です。
・当日のテキストは、座学と実験書から構成されます。
プログラム
10:30~10:35 全体説明
10:35~11:05 電気回路視点からのパワーデバイスの特徴
11:05~12:00 ダブルパルス試験と試験条件の決め方、実験方法、評価項目
13:00~17:00 スイッチング特性測定実験

 8種類の試験回路;
回路
名称
パワーデバイス 測定電圧 ピーク電流 ゲート回路 ダイオード 特徴
A Si-IGBT (Discrete)
RGTH00TS65D
定格:650V, 85A
300V 30A 内臓ダイオード 本実験の基準とする
B Si-IGBT (2 in 1 module)
2MBI100VA-120-50
定格:1200V, 100A
600V 50A ピーク電流
1.5A​​​​​​
内臓ダイオード 素子定格がA回路よりも大きい
C Si-IGBT (2 in 1 module)
2MBI100VA-120-50
定格:1200V, 100A
600V 50A ピーク電流
1.0A​​​​​​
内臓ダイオード ゲート回路の駆動能力がB回路よりも低い
D Si-IGBT (Discrete)
RGTH00TS65D
定格:650V, 85A
300V 30A SiCショットキー
バリアダイオード
SCS240AE2-E
A回路のダイオードをSiC-SBDに換装
E SiC-MOSFET (Discrete)
SCT3030AL
定格:650V, 70A
300V 30A ボディダイオード A回路の両IGBTをSiC-MOSFETに換装
F SiC-MOSFET (2 in 1 module)
BSM120D12P2C005
定格:1200V, 120A
600V 50A ボディダイオード 素子定格がE回路よりも大きい
G GaN-HEMT (Discrete)
EPC9025
定格:300V, 6.3A
200V 3A GaN-HEMT GaNデバイス使用
小電力用デバイス
H GaN-HEMT (Discrete)
GS66508B-TR
定格:650V, 30A
300V 30A GaN-HEMT GaNデバイス使用
小電力用デバイス

 

講師
長年パワエレ研究に従事してきた講師が、デバイス評価のポイントをお伝えします!
横浜国立大学 河村 篤男 先生 横浜国立大学
寄附講座教授/名誉教授

1981年東京大学博士課程修了(工学博士)。
米国ミズーリ大助教授、横浜国立大学院工学研究院教授(名誉教授)などを経て、現在は寄付講座教授。
専門はパワーエレクトロニクス、ディジタル制御、モーションコントロール、電気自動車駆動系、2足歩行ロボットなど。
電気学会、IEEE、Fellow。
横浜国立大学 小原 秀嶺 先生 横浜国立大学 工学研究院 知的構造の創生部門 准教授

2015年9月 千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻電気電子系コース博士後期課程修了。博士(工学)。
2015年10月 首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻特任研究員。
2016年4月 横浜国立大学大学院工学研究院助教,
2019年4月 同大学寄附講座講師,
2021年4月 同大学准教授,現在に至る。

主として,マルチレベル電力変換器,アクティブゲート制御などの研究に従事。
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受講者の声
ニックネーム:AIさん | 年齢:30代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:1~2年
受講日:2023/11/20
満足度
5.0
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 実際に手を動かしながら実験をすることができたので、非常に理解が深まりやすいと思いました。座学に関しては、最初のパワーデバイスの物性の話がかなり速足だったので予備知識がなければ難しいように感じました。 
今後役立つと感じたか
 今後の役に立つと感じました。特に実験用の基板一式や測定器との接続など、実物を見ないと中々イメージできないものだったり、自社のものとの違いを確認することができたことが非常に今後の役に立つと感じました。 
その他
  
協会より:  

 

ニックネーム:メールアドレスを確認しました。さん | 年齢:20代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:6~10年
受講日:2023/11/20
満足度
5.0
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
  
今後役立つと感じたか
 パターン設計やデバイス選定、ドライバ設計などやる機会があり、また、今後EMIについて取り組むことも有ると思うので非常に役立つと感じた。 
その他
  
協会より:  

 

ニックネーム:はるまきさん | 年齢:30代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:3~5年
受講日:2023/11/20
満足度
5.0
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 非常に楽しく勉強させていただきました。ありがとうございました。 
今後役立つと感じたか
  
その他
 ゲートドライブのノウハウを吸収できると良かったと反省しています。DCDC、インバータでのデバイス選定の差に関する内容がありましたら嬉しいです。 
協会より:  

 

ニックネーム:Vさん | 年齢:30代 
職種:研究 | パワエレ経験:1~2年
受講日:2023/11/20
満足度
4.6
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 実際の回路に触れ、波形やダブルパルス試験をより理解できた。 
今後役立つと感じたか
 役立つ 
その他
 前半の理論部、もう少し時間欲しかったです。寄生Ls,Cの改善方法など設計観点のノウハウも知れるとさらに良いと思いました。 
協会より:  

 

ニックネーム:T.Nさん | 年齢:30代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:未経験
受講日:2023/11/20
満足度
4.6
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 測定を実際に行えた事が非常に良かった。デバイスの波形を実際に見れただけではなく、測定系(オシロ、プローブなど)もさわれた事が経験となった。 
今後役立つと感じたか
 今後役に立つと思います。ただ、パワエレ回路の知識が乏しく、周りの方のスピードについていくことが大変だったので、もう一度波形を整理し直して、知識を定着させたいと思う。 
その他
 事前にテキストを頂けた事は良かった。 
協会より:  

 

ニックネーム:なかさん | 年齢:30代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:1~2年
受講日:2023/11/20
満足度
4.6
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 測定の難しさを実感できてよかった。 
今後役立つと感じたか
 回路設計者がどのように考えているかなど知れたので、役に立ちそう。 
その他
  
協会より:  

 

ニックネーム:takumaaaaaaさん | 年齢:20代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:3~5年
受講日:2023/11/20
満足度
4.4
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 8種のデバイスと比較はなかなかできないため、非常によかった。初の現地セミナーでしたが、いい雰囲気でした。 
今後役立つと感じたか
 多くのデバイスを評価させていただき、それぞれの特徴、条件による違いは役立つと思いました。 
その他
 なし 
協会より:  

 

ニックネーム:なべさん | 年齢:30代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:6~10年
受講日:2023/11/20
満足度
4.2
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 実験をして複数のデバイス特性を比較できて大変ためになった。 
今後役立つと感じたか
 回路設計の時に役立つと感じた。 
その他
 追加で基板実装の注意点についても実技を交えて学べるとよかった。 
協会より:  

 

ニックネーム:もさん | 年齢:40代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:10年以上
受講日:2023/11/20
満足度
4.2
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 実際に回路を使って測定できたのが良かった。写真もとり放題なので良かった。 
今後役立つと感じたか
 仕事上での測定に自身が持てるので(セミナーでやったことを正して考えられる)役立つと思います。 
その他
 お弁当が豪華 
協会より:  

 

ニックネーム:ひろせなさん | 年齢:20代 
職種:開発・設計 | パワエレ経験:3~5年
受講日:2023/11/20
満足度
4.0
わかりやすさ
理解度
時間配分
雰囲気
価格
セミナーを受講した印象
 講義だけでなく、実際に動かし波形を取得する点が良かった。 
今後役立つと感じたか
 半導体素子を評価する際に役立つと思う。 
その他
 測定技術やパターンによる差分も見たいと感じた。 
協会より:  

 

日程・受講料
開催日
【対面】2025年12月22日(月)
期間
1日
時間
10:30 ~ 17:30
受講料
80,000円 (税別) / 88,000円 (税込)
定員
先着、最大9名まで。最大定員に達した場合、受講をお断りする場合があります。
最小4名から。開催3週間前に最小定員に満たない場合、受講をお断りする場合があります。
当日までのご準備
事前に協会より送付される「受講テキスト」「当日オリエンテーション資料」をご確認のうえ、ご準備ください。
当日の持ち物・服装
1.筆記用具
2.名刺(セミナー終了後30分間名刺交換会を開催します。)
3.「受講テキスト」「当日オリエンテーション資料」をご確認のうえ、ご準備ください。
※テキスト教材は当日会場で配布いたします。
※お昼はお弁当をご用意しております。
 
会場
横浜国立大学
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主催
日本パワーエレクトロニクス協会
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