・インバータやコンバータ回路を構成するスイッチング素子として広く採用されているMOSFETおよびIGBTを対象に、素子の性能を十分に活かすためのゲート駆動技術の基礎を学びます。
・素子の構造と動作波形による特性理解、素子特性と回路動作に対応したゲート駆動回路の設計方法をお伝えします。

・インバータやコンバータ回路の設計技術者
・パワーエレクトロニクス応用回路のドライブ技術を理解したい技術者

・スイッチング素子の特性および回路動作を理解し、ゲート駆動回路の設計の基本がわかる。

従来からあるSi半導体のパワー半導体デバイスや、昨今はSiC/GaNといった次世代のパワー半導体デバイスも実用化されてきています。

これらのパワー半導体デバイスの性能を最大限に活かすのが、ゲート駆動回路/ゲートドライバとなります。回路がうまく動かない、制御の変更をしても期待通りの性能が出ない。実はゲート駆動技術に課題があったという事も少なくありません。
また、次世代デバイスを利用をする際にも、ゲート駆動技術の基礎が理解できていないと使いこなすのも難しいです。

インバータ回路を構成するスイッチング素子として広く採用されているMOSFETおよびIGBTを対象に、素子の性能を十分に活かすためのゲート駆動技術の基礎を学びます。
　①MOSFETおよびIGBTの構造と等価回路。
　②上記パワー半導体デバイスの特性と回路動作（シミュレーションも含む）。
　③ゲート駆動の基本と回路設計（デバイスの保護回路についても説明）。

なお、ゲート駆動技術をお伝えする講座であり、部品定数の決め方など具体的な回路設計に関わる講座ではありません。

１．パワー半導体デバイスの種類と構造
　１．１　デバイスの種類と適用範囲
　１．２　デバイスの構造
　１．３　バイアス
　１．４　寄生容量と等価回路

２．ゲート波形とスイッチング動作
　２．１　一般的な三相インバータ回路とダブルパルス動作
　２．２　ゲート駆動と動作波形
　２．３　ゲート特性
　２．４　デバイスの電力損失
　２．５　寄生インダクタンスの影響

３．ゲート駆動回路の基本的な考え方
　３，１　ゲート駆動の基本

４．ゲート駆動回路の設計例
　４．１　ゲート駆動回路の基本構成
　４．２　ゲート回路用電源
　４．３　ゲート抵抗
　４．４　ゲート保護

日立製作所でデバイスや回路を手掛けてきた講師が、ゲート駆動技術の基礎をお伝えします。
	福岡工業大学 総合研究機構 ・九州工業大学大学院を卒業後、（株）日立製作所に入社。 以来38年間、パワーエレクトロニクス分野の研究開発およびマネージメントを行う。 2016年より福岡工業大学にて教育および研究に従事。 定年後、福岡工業大学　総合研究機構　客員研究員として現在に至る。

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１．マイク機能付きパソコン
２．講義資料（事前に協会より郵送します。）
３．筆記用具

日本パワーエレクトロニクス協会