SiCおよびGaN素子の特徴、および基板上で使用するにあたっての課題について理解を深めることができました。 ミラー効果による誤ONや高周波素子を使用する際のブートストラップ電源による素子の熱破壊、高周波スイッチングによるコモンモードノイズなど実装に向けた課題に関し、経験や原理に沿った説明いただけたため、今後の開発業務にすぐに生かせると感じました。 

経験や原理に基づいた説明は、高周波化検討に伴ってはすぐに活用できる知識となりました。 

６～１０年 

講師のかたの話のトーンが聞きやすくすんなり理解できたと思います。 

３～５年、６～１０年 

SiC/GaNデバイスは高速・低損失化に有効である一方、Cgs/Cgdなどの寄生容量、ミラー効果、Ldi/dtによる過電圧、コモンモードノイズなどを十分に考慮しないと、期待した性能や信頼性を得られないと感じました。今後の設計では、ゲートループ、主電流ループ、GND、保護回路をセットで確認することが重要だと考えます。 

３～５年 

講師の経験をベースに講義いただいたので、内容については実業務へ展開するべきだと認識できました 

３～５年 

講師の説明は丁寧でわかりやすかった。説明のスピードも適切であると感じた。 

数百A、1.2kV以上の大電力のパワー半導体のドライブに関するノウハウの説明があるとよかった。 

１～２年 

SiC/GaNの基本的な特徴の理解と、標準的なゲートドライブ技術の習得に役立つと感じました。 

ノイズや放熱対策技術とシミュレーション手法など。 

特にありません。 

６～１０年 

回路エンジニアにとっては役に立つセミナーだと感じた。 

回路の設計要素的な内容であったため、基礎的な周辺技術として、 知見をもっておくべき内容であると感じたが、 回路を使う側の制御担当者としては、直接的には不足感があった。 具体的には、最新デバイスの採用状況なども、紹介程度だったので、 富士経済などの資料からでも、将来展望を数値で、 他、Costの展望など、広く知りたかった。 ほかには、Sicなどで、どのような研究が行われているか、 NEDOや大学の研究など。 

［２０３］基礎パワエレ制御の速習法　～伝達関数・ボード線図・状態平均化を極める～ ［１１５］中級者のためのモータ設計　モータを活用するための設計の考え方 

３～５年 

次回があれば受講したい 

６～１０年 

実際に設計された経験に基づく内容で、理解しやすかった。 

３～５年、６～１０年、１０年以上 

講師の実体験に基づいたセミナーで、実務よりの非常にためになるものだった。 

設計の感覚が乏しい若手には、どこに着目しればいいかのヒントになり非常に有益だと感じる。 

１～２年 

講義のペースがゆっくりで聞き取り易く、理解し易かった。 

SiやSiC製品のみでGaN製品は扱っていないが、過去の問題などの解決策はSi、SiCにも応用出来そうであった。 

回路設計、SPICE等 

６～１０年 

理論よりも実践寄りという印象を受けた。 

３～５年 

ポイントをかいつまんで説明されていたためSiC/Ganのゲートドライブ回路を設計する上で注意すべき点はわかりやすく整理されていたと思います。 

６～１０年 

説明が分かりやすかったです。経験を踏まえての説明がSiCとGaNの違いについての理解につながりました。 

１～２年 

イラストや回路図を使用してわかりやすく技術的な内容を説明されていました。経験でなんとなくわかっていた内容を言葉や図を使って説明できるようになったと思います。 

３～５年 

簡単な説明でまとめていただきSiC/GaNのゲート駆動時発生する問題点を知ることができた。 セミナー後半の実際の不具合対策事例の説明では、定性的な説明が多く広く浅い内容に感じた。 

SiC/GaNデバイスを活用する際には、紹介いただいたような事例があることを念頭にゲート回路を設計することはできると感じたが、実際にはどこまでループ面積を小さくすべきかなど、回路の設計目標を明確にするには講義内容が不足しているように感じた。 

３～５年 

講師の方の経験を踏まえた説明は分かりやすく、初級者から中級者まで幅広い方にお勧めできる講座と思います。広く浅い内容ではあるものの、SiC/GaNデバイスを使用する上での回路/基板設計的な注意点を実践的な視点で知ることができるため、これから設計に携わる方は受講をお勧めします。 

役立つ。基本的な内容ではあるものの、失敗事例を交えて説明頂けたため、まだGaNデバイスを使った設計には携わったことがない立場としては基礎知識として理解しやすかったです。 

１０年以上 

非常に分かりやすく良かったです。開発の実情的な話も聞けて非常な有意義なセミナーでした。 

３～５年 

内容はわかりやすく良かったが、GANはもっとシビアな設計をしなければならないはずなので、そのあたりまで深掘りをしていただきたかったです。 

１～２年 

実例紹介を挟んでいただくおかげで、実務との相関が想像しやすかった。 

３～５年 

現物に基づく内容であり、貴重な講義であった。 

つまづき、時間がかかかる部分を先に知れてよかった。 

選択中です。 

特にありません。 

３～５年、６～１０年 

原理・原則を理解したうえで、評価の過程で問題を解決することで、特に次世代半導体を使用する際はトランアンドエラーが大切だと感じました。 

３～５年 

失敗事例からの解説という流れだったのもあり講師の方の説明は分かりやすく、テンポが良かった。 確かに範囲は狭いので「専門」ではあると思ったが、内容的には半導体知識さえあれば初～中級の方でも 受講しても良いのではと感じた。 

弱電であれば、知識としては知ってはいてもなんとかなってしまう部分での失敗事例も聞けたので 今後設計する際には役に立つと感じた。 

１～２年 

講師の実体験に基づいた内容で、より実務で活用できる知識を学べた。 

３～５年 

業務の都合でほとんど聞くことが出来なかった。 

今回のセミナー内容で質問したい箇所が８点ございます。 ■質問内容 (1) 12ページ目ですが、 バイポーラトランジスタは少数キャリアの蓄積で何故OFF動作が遅くなるのでしょうか。 (2) 29ページ目に「S2のゲートに大電流が流れることでS2が誤ONしS1S2の同時ONで貫通電流が流れる」との記載がありますが、 この現象はIGBTでも発生するのでしょうか。 それとも高速FET固有のものでしょうか。 (3) 32ページ目に「R2はゲートを安定させる抵抗」「R3はPWM信号の受信を確実にする抵抗」との記載がありますが、 どちらの抵抗も役割としてはプルダウン抵抗という認識でよろしいでしょうか。 また、何故R3を付けることで受信が確実になるのでしょうか。 (4) 33ページ目に「直列抵抗を分けて速度ONとOFFの速度差をつける」との記載がありますが、 ONのときは、10Ωを介してゲートを充電、 OFFのときは、10Ω＋1Ωを介してゲートを放電、 という認識でよろしいでしょうか。 (5) ① 38ページ目に「ファーストリカバリーダイオードを使用してもダイオードが焼ける」と記載されていますが、 ダイオードと逆方向に一瞬だけ大電流が流れることによってダイオードが損傷してしまうという認識でよろしいでしょうか。 また、ダイオードが損傷する際の電流の経路を教えていただけますでしょうか。 ② 38ページ目に「高電圧ではブーストラップ法はおすすめできない」との記載がありますが、 高電圧とは何V程度でしょうか。 (6) 63ページ目に「一次側は0A⇔72Aのパルス電流が流れる過酷な世界」との記載がありますが、 定常的に大電流を流すより、平均電流は低くても電流のリプルが大きい方が基板へのノイズは大きくなるのでしょうか。 (7) 65ページ目のコントロール配線とは基板のパターンという認識でよろしいでしょうか。 (8) 73ページ目に「バイパスのダイオードを抜けてテブナンの定理を補償する」との記載がありますが、 どういう意味か教えていただけますでしょうか。 質問が多くなってしまい申し訳ございません。 初歩的な質問がほとんどとなりますが、ご回答いただければ幸いです。 よろしくお願いいたします。 

１～２年