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パワー半導体デバイスのダブルパルス試験

2025年12月22日（月）　10:30～17:30
会場：横浜国立大学

 

特長
・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性の概略を座学学習する。
・ダブルパルス試験による特性評価法を学び、試験方法と評価項目を理解する。
・ダブルパルス試験に基づき、Si-IGBT, SiC-MOSFET, GaN-HEMTを用いた8種類の測定（電圧波形、電流波形、スイッチング損失）を行い、各種パワーデバイスの動特性を実測する。
対象
・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性を実測したい方
・ダブルパルス試験による特性評価法を学びたい方
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測したい方
学べること
・半導体パワーデバイスのスイッチング特性が体感できます。
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測するので、パワーデバイスの使い方や素子としての違いが理解できます。
・パワーエレクトロニクス回路の設計時に、パワー半導体デバイスの選択の知識や経験として役立ちます。
概要
・パワー半導体スイッチングデバイスの特性を座学と実験を通して体感するものです。
　デバイスの評価方法や実際の計測器の使い方、ポイントなどもお伝えします。
・ダブルバルス試験は、国立大学の電気電子関連学科の実験科目としてカリキュラムには入っていません。
　主回路の開発者、パワー半導体デバイスの部品選定者には必須となる試験です。
・当日のテキストは、座学と実験書から構成されます。
プログラム
10:30～10:35　全体説明
10:35～11:05　電気回路視点からのパワーデバイスの特徴
11:05～12:00　ダブルパルス試験と試験条件の決め方、実験方法、評価項目
13:00～17:00　スイッチング特性測定実験

　８種類の試験回路；
回路
名称		 パワーデバイス 測定電圧 ピーク電流 ゲート回路 ダイオード 特徴
A Si-IGBT (Discrete)
RGTH00TS65D
定格：650V, 85A		 300V 30A ー 内臓ダイオード 本実験の基準とする
B Si-IGBT (2 in 1 module)
2MBI100VA-120-50
定格：1200V, 100A		 600V 50A ピーク電流
1.5A​​​​​​		 内臓ダイオード 素子定格がA回路よりも大きい
C Si-IGBT (2 in 1 module)
2MBI100VA-120-50
定格：1200V, 100A		 600V 50A ピーク電流
1.0A​​​​​​		 内臓ダイオード ゲート回路の駆動能力がB回路よりも低い
D Si-IGBT (Discrete)
RGTH00TS65D
定格：650V, 85A		 300V 30A ー SiCショットキー
バリアダイオード
SCS240AE2-E		 A回路のダイオードをSiC-SBDに換装
E SiC-MOSFET (Discrete)
SCT3030AL
定格：650V, 70A		 300V 30A ー ボディダイオード A回路の両IGBTをSiC-MOSFETに換装
F SiC-MOSFET (2 in 1 module)
BSM120D12P2C005
定格：1200V, 120A		 600V 50A ー ボディダイオード 素子定格がE回路よりも大きい
G GaN-HEMT (Discrete)
EPC9025
定格：300V, 6.3A		 200V 3A ー GaN-HEMT GaNデバイス使用
小電力用デバイス
H GaN-HEMT (Discrete)
GS66508B-TR
定格：650V, 30A		 300V 30A ー GaN-HEMT GaNデバイス使用
小電力用デバイス

 

講師
長年パワエレ研究に従事してきた講師が、デバイス評価のポイントをお伝えします！
横浜国立大学　河村 篤男 先生 横浜国立大学
横浜公立大学総合学術研究院連携研究者／名誉教授

1981年東京大学博士課程修了（工学博士）。
米国ミズーリ大助教授、横浜国立大学院工学研究院教授（名誉教授）、同大学寄付講座教授を経て、現在は同大学総合学術研究院連携研究者。
専門はパワーエレクトロニクス、ディジタル制御、モーションコントロール、電気自動車駆動系、２足歩行ロボットなど。
電気学会、IEEE、Fellow。
横浜国立大学　小原 秀嶺 先生 横浜国立大学　工学研究院　知的構造の創生部門　准教授

2015年9月　千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻電気電子系コース博士後期課程修了。博士（工学）。
2015年10月　首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻特任研究員。
2016年4月　横浜国立大学大学院工学研究院助教，
2019年4月　同大学寄附講座講師，
2021年4月　同大学准教授，現在に至る。

主として，マルチレベル電力変換器，アクティブゲート制御などの研究に従事。
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日程・受講料
開催日
【対面】2025年12月22日（月）
期間
１日
時間
10：30　～　17：30
受講料
80,000円 (税別) / 88,000円 (税込)
定員
先着、最大９名まで。最大定員に達した場合、受講をお断りする場合があります。
最小４名から。開催３週間前に最小定員に満たない場合、受講をお断りする場合があります。
当日までのご準備
事前に協会より送付される「受講テキスト」「当日オリエンテーション資料」をご確認のうえ、ご準備ください。
当日の持ち物・服装
１．筆記用具
２．名刺（セミナー終了後30分間名刺交換会を開催します。）
３．「受講テキスト」「当日オリエンテーション資料」をご確認のうえ、ご準備ください。
※当日は、テキストおよびオリエンテーション資料を忘れずにご持参ください。
※お昼はお弁当をご用意しております。
 
会場
横浜国立大学
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主催
日本パワーエレクトロニクス協会
お問い合わせ

 

受講者の声 （全22件のうち直近10件を表示しています）
ニックネーム：匿名さん　｜ 年齢：４０代
職種：開発・設計　｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2025/12/22
ID：12022
満足度
４.８
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
４
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
各デバイスの構造や特徴を座学として解説していただいた上で実験ができたので理解しやすかったです。 
セミナーは役に立つと感じたか
GaNデバイスの特性評価を業務にしていますので大変助かりました。 
これから受講したい講座
交流関連のセミナーを受講予定です。 
その他・ご意見など
もう少し時間をかけて良いボリュームだったと思いました。時間制限の中で丁寧に説明いただきありがとうございました。 
本セミナーに最適なパワエレ経験
１～２年、３～５年 

 

ニックネーム：TMさん　｜ 年齢：２０代
職種：研究　｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2025/12/22
ID：12019
満足度
４.５
わかりやすさ
５
理解度
４
時間配分
４
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
とても雰囲気が良く、質問がしやすくて良かった。また、測定器などについても参考になった。IGBTやSiC、GaNなどのそれぞれの半導体の特性の違いについて、実波形を通じて分かることができたので今後の参考になった。 
セミナーは役に立つと感じたか
SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の測定における注意点などが知れたため、今後社内での評価があった際に使えると思った。 
本セミナーに最適なパワエレ経験
１～２年、３～５年 

 

ニックネーム：匿名さん　｜ 年齢：２０代
職種：開発・設計　｜ パワエレ経験：１～２年
受講日：2025/12/22
ID：12021
満足度
４.５
わかりやすさ
５
理解度
４
時間配分
４
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
実測を通してパワーデバイスの違いを見ることができ、分かりやすかったと感じる。学生さんについてもらい、非常に分かりやすかったし質問もしやすかった。 
セミナーは役に立つと感じたか
社内で、今後GaNの評価試験を行う可能性が高いため、今回のダブルパルス試験の経験は活かせると思う。 
これから受講したい講座
GaNを用いた回路、EMC、熱設計、LLCコンバータ 
その他・ご意見など
想定外の延長があったことは気になった。 
本セミナーに最適なパワエレ経験
１～２年 

 

ニックネーム：たいせいさん　｜ 年齢：２０代
職種：開発・設計　｜ パワエレ経験：１～２年
受講日：2025/12/22
ID：12018
満足度
４.３
わかりやすさ
４
理解度
４
時間配分
４
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
１日時間はとられていたが、終日せわしない印象だった。しかしその分必要な知識は得られたので良かったと思う。分からないところがまた出てくると思うので質問させてください。 
セミナーは役に立つと感じたか
写真OK、データがあとでもらえるところが良かった。復習できるし、報告にも使えるのでありがたいです。 
これから受講したい講座
実験系のセミナーは知識としてほしいが、出張となるとハードルが高いので、Webで実験系があったら受けてみたい。 
本セミナーに最適なパワエレ経験
１～２年 

 

ニックネーム：IHさん　｜ 年齢：３０代
職種：開発・設計　｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2025/12/22
ID：12020
満足度
３.８
わかりやすさ
４
理解度
３
時間配分
３
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
スイッチングデバイスの理論から学び、実験座学、実習という構成だったので、要点をおさえつつ理解するこができました。 
セミナーは役に立つと感じたか
ダブルパルス試験の評価、および評価技術の改善に大変役に立つと感じました。 
これから受講したい講座
回路技術関係のセミナーがあれば受講したいです。 
その他・ご意見など
特にございません。 
本セミナーに最適なパワエレ経験
３～５年 

 

ニックネーム：匿名さん　｜ 年齢：５０代
職種：開発・設計　｜ パワエレ経験：１０年以上
受講日：2024/12/23
ID：9103
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
わかりやすかったです。 
セミナーは役に立つと感じたか
役立つと思います。 
これから受講したい講座
新規セミナー 

 

ニックネーム：匿名さん　｜ 年齢：４０代
職種：開発・設計　｜ パワエレ経験：１～２年
受講日：2024/12/23
ID：9104
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
なかなか出来ないテストでしたので、貴重な体験をありがとうございました。 
セミナーは役に立つと感じたか
今後、非常に役に立つと感じました。 
これから受講したい講座
パワー半導体のスイッチングの仕組みの解説と、スイッチングモデルの構築とパラメータ変更体験など、MOSFETをベースに体験したい。 
その他・ご意見など
前半のデバイス講座は、独立してもよいと思いました。 

 

ニックネーム：匿名さん　｜ 年齢：３０代
職種：　｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2024/12/23
ID：9105
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
学生の頃の実験を思い出し、懐かしくなりました。 
セミナーは役に立つと感じたか
役に立つと感じた。 
これから受講したい講座
実際のモノを使って実験するようなセミナー 

 

ニックネーム：タッキーさん　｜ 年齢：４０代
職種：開発・設計　｜ パワエレ経験：１０年以上
受講日：2024/12/23
ID：9106
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
座学だけでなく、実際に波形測定の実験ができて、より内容が把握しやすかった。 
セミナーは役に立つと感じたか
実業務でもダブルパルス試験を実施するため、試験内容、ダブルパルスの意味も分かり非常に役立つと感じた。 
これから受講したい講座
ゲートドライブ回路（Si,SiC,GaN） 

 

ニックネーム：指導員さん　｜ 年齢：４０代
職種：　｜ パワエレ経験：６～１０年
受講日：2024/12/23
ID：9101
満足度
４.８
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
４
セミナーを受講した印象
実験をグループで行い、アシスタントによるサポートもあり安心して実施できました。 
セミナーは役に立つと感じたか
デバイスの概要及び試験方法について、説明と実際の実験を通して理解を深めることが出来たため、今後、社内でも実施していきたい。 

 

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