| 2025年12月22日（月） 10:30～17:30 会場：横浜国立大学 |
特長
・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性の概略を座学学習する。
・ダブルパルス試験による特性評価法を学び、試験方法と評価項目を理解する。
・ダブルパルス試験に基づき、Si-IGBT, SiC-MOSFET, GaN-HEMTを用いた8種類の測定（電圧波形、電流波形、スイッチング損失）を行い、各種パワーデバイスの動特性を実測する。
・ダブルパルス試験による特性評価法を学び、試験方法と評価項目を理解する。
・ダブルパルス試験に基づき、Si-IGBT, SiC-MOSFET, GaN-HEMTを用いた8種類の測定（電圧波形、電流波形、スイッチング損失）を行い、各種パワーデバイスの動特性を実測する。
対象
・パワー半導体スイッチングデバイスのスイッチング特性を実測したい方
・ダブルパルス試験による特性評価法を学びたい方
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測したい方
・ダブルパルス試験による特性評価法を学びたい方
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測したい方
学べること
・半導体パワーデバイスのスイッチング特性が体感できます。
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測するので、パワーデバイスの使い方や素子としての違いが理解できます。
・パワーエレクトロニクス回路の設計時に、パワー半導体デバイスの選択の知識や経験として役立ちます。
・各種パワーデバイスの動特性を比較して実測するので、パワーデバイスの使い方や素子としての違いが理解できます。
・パワーエレクトロニクス回路の設計時に、パワー半導体デバイスの選択の知識や経験として役立ちます。
概要
・パワー半導体スイッチングデバイスの特性を座学と実験を通して体感するものです。
デバイスの評価方法や実際の計測器の使い方、ポイントなどもお伝えします。
・ダブルバルス試験は、国立大学の電気電子関連学科の実験科目としてカリキュラムには入っていません。
主回路の開発者、パワー半導体デバイスの部品選定者には必須となる試験です。
・当日のテキストは、座学と実験書から構成されます。
デバイスの評価方法や実際の計測器の使い方、ポイントなどもお伝えします。
・ダブルバルス試験は、国立大学の電気電子関連学科の実験科目としてカリキュラムには入っていません。
主回路の開発者、パワー半導体デバイスの部品選定者には必須となる試験です。
・当日のテキストは、座学と実験書から構成されます。
プログラム
10:30～10:35 全体説明
10:35～11:05 電気回路視点からのパワーデバイスの特徴
11:05～12:00 ダブルパルス試験と試験条件の決め方、実験方法、評価項目
13:00～17:00 スイッチング特性測定実験
８種類の試験回路；
10:35～11:05 電気回路視点からのパワーデバイスの特徴
11:05～12:00 ダブルパルス試験と試験条件の決め方、実験方法、評価項目
13:00～17:00 スイッチング特性測定実験
８種類の試験回路；
| 回路 名称 |
パワーデバイス | 測定電圧 | ピーク電流 | ゲート回路 | ダイオード | 特徴 |
| A | Si-IGBT (Discrete) RGTH00TS65D 定格：650V, 85A |
300V | 30A | ー | 内臓ダイオード | 本実験の基準とする |
| B | Si-IGBT (2 in 1 module) 2MBI100VA-120-50 定格：1200V, 100A |
600V | 50A | ピーク電流 1.5A |
内臓ダイオード | 素子定格がA回路よりも大きい |
| C | Si-IGBT (2 in 1 module) 2MBI100VA-120-50 定格：1200V, 100A |
600V | 50A | ピーク電流 1.0A |
内臓ダイオード | ゲート回路の駆動能力がB回路よりも低い |
| D | Si-IGBT (Discrete) RGTH00TS65D 定格：650V, 85A |
300V | 30A | ー | SiCショットキー バリアダイオード SCS240AE2-E |
A回路のダイオードをSiC-SBDに換装 |
| E | SiC-MOSFET (Discrete) SCT3030AL 定格：650V, 70A |
300V | 30A | ー | ボディダイオード | A回路の両IGBTをSiC-MOSFETに換装 |
| F | SiC-MOSFET (2 in 1 module) BSM120D12P2C005 定格：1200V, 120A |
600V | 50A | ー | ボディダイオード | 素子定格がE回路よりも大きい |
| G | GaN-HEMT (Discrete) EPC9025 定格：300V, 6.3A |
200V | 3A | ー | GaN-HEMT | GaNデバイス使用 小電力用デバイス |
| H | GaN-HEMT (Discrete) GS66508B-TR 定格：650V, 30A |
300V | 30A | ー | GaN-HEMT | GaNデバイス使用 小電力用デバイス |
講師
| 長年パワエレ研究に従事してきた講師が、デバイス評価のポイントをお伝えします！ | |
|---|---|
 |
横浜国立大学 横浜公立大学総合学術研究院連携 1981年東京大学博士課程修了（工学博士）。 米国ミズーリ大助教授、横浜国立大学院工学研究院教授（名誉教授 専門はパワーエレクトロニクス、ディジタル制御、モーションコントロール、電気自動車駆動系、２足歩行ロボットなど。 電気学会、IEEE、Fellow。 |
 |
横浜国立大学 工学研究院 知的構造の創生部門 准教授 2015年9月 千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻電気電子系コース博士後期課程修了。博士（工学）。 2015年10月 首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻特任研究員。 2016年4月 横浜国立大学大学院工学研究院助教， 2019年4月 同大学寄附講座講師， 2021年4月 同大学准教授，現在に至る。 主として，マルチレベル電力変換器，アクティブゲート制御などの研究に従事。 |
※専用ｱﾄﾞﾚｽが不明な場合は、法人サブスク管理者へお問合せください。
日程・受講料
開催日
【対面】2025年12月22日（月）
期間
１日
時間
10：30 ～ 17：30
受講料
80,000円 (税別) / 88,000円 (税込)
定員
先着、最大９名まで。最大定員に達した場合、受講をお断りする場合があります。
最小４名から。開催３週間前に最小定員に満たない場合、受講をお断りする場合があります。
最小４名から。開催３週間前に最小定員に満たない場合、受講をお断りする場合があります。
当日までのご準備
事前に協会より送付される「受講テキスト」「当日オリエンテーション資料」をご確認のうえ、ご準備ください。
当日の持ち物・服装
１．筆記用具
２．名刺（セミナー終了後30分間名刺交換会を開催します。）
３．「受講テキスト」「当日オリエンテーション資料」をご確認のうえ、ご準備ください。
※当日は、テキストおよびオリエンテーション資料を忘れずにご持参ください。
※お昼はお弁当をご用意しております。
２．名刺（セミナー終了後30分間名刺交換会を開催します。）
３．「受講テキスト」「当日オリエンテーション資料」をご確認のうえ、ご準備ください。
※当日は、テキストおよびオリエンテーション資料を忘れずにご持参ください。
※お昼はお弁当をご用意しております。
会場
横浜国立大学
※専用ｱﾄﾞﾚｽが不明な場合は、法人サブスク管理者へお問合せください。
主催
日本パワーエレクトロニクス協会
受講者の声
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：５０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１０年以上
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１０年以上
受講日：2024/12/23
ID：9103
ID：9103
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
わかりやすかったです。
セミナーは役に立つと感じたか
役立つと思います。
これから受講したい講座
新規セミナー
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：４０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１～２年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１～２年
受講日：2024/12/23
ID：9104
ID：9104
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
なかなか出来ないテストでしたので、貴重な体験をありがとうございました。
セミナーは役に立つと感じたか
今後、非常に役に立つと感じました。
これから受講したい講座
パワー半導体のスイッチングの仕組みの解説と、スイッチングモデルの構築とパラメータ変更体験など、MOSFETをベースに体験したい。
その他・ご意見など
前半のデバイス講座は、独立してもよいと思いました。
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：３０代
職種： ｜ パワエレ経験：３～５年
職種： ｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2024/12/23
ID：9105
ID：9105
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
学生の頃の実験を思い出し、懐かしくなりました。
セミナーは役に立つと感じたか
役に立つと感じた。
これから受講したい講座
実際のモノを使って実験するようなセミナー
ニックネーム：タッキーさん ｜
年齢：４０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１０年以上
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１０年以上
受講日：2024/12/23
ID：9106
ID：9106
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
座学だけでなく、実際に波形測定の実験ができて、より内容が把握しやすかった。
セミナーは役に立つと感じたか
実業務でもダブルパルス試験を実施するため、試験内容、ダブルパルスの意味も分かり非常に役立つと感じた。
これから受講したい講座
ゲートドライブ回路（Si,SiC,GaN）
ニックネーム：指導員さん ｜
年齢：４０代
職種： ｜ パワエレ経験：６～１０年
職種： ｜ パワエレ経験：６～１０年
受講日：2024/12/23
ID：9101
ID：9101
満足度
４.８
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
４
セミナーを受講した印象
実験をグループで行い、アシスタントによるサポートもあり安心して実施できました。
セミナーは役に立つと感じたか
デバイスの概要及び試験方法について、説明と実際の実験を通して理解を深めることが出来たため、今後、社内でも実施していきたい。
ニックネーム：Noriさん ｜
年齢：４０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2024/12/23
ID：9107
ID：9107
満足度
３.８
わかりやすさ
４
理解度
３
時間配分
４
雰囲気
４
セミナーを受講した印象
実際にIGBT、SiC、GaNの波形を比較できたので良かった。
セミナーは役に立つと感じたか
GaN、SiCなどを高速スイッチングのデバイスを評価していくので、機械含めて情報収集できて良かった。
これから受講したい講座
GaNの高速スイッチングの波形に着目したセミナー
ニックネーム：ユウキさん ｜
年齢：３０代
職種：営業 ｜ パワエレ経験：６～１０年
職種：営業 ｜ パワエレ経験：６～１０年
受講日：2024/12/23
ID：9102
ID：9102
満足度
３.５
わかりやすさ
４
理解度
３
時間配分
４
雰囲気
３
セミナーを受講した印象
基本的な内容からWGBまで広く学べてよかった。
セミナーは役に立つと感じたか
日々の不明点を解決することができた。
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：３０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2023/11/20
ID：5758
ID：5758
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
非常に楽しく勉強させていただきました。ありがとうございました。
これから受講したい講座
ものづくりセミナー
その他・ご意見など
ゲートドライブのノウハウを吸収できると良かったと反省しています。DCDC、インバータでのデバイス選定の差に関する内容がありましたら嬉しいです。
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：２０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：６～１０年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：６～１０年
受講日：2023/11/20
ID：5761
ID：5761
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーは役に立つと感じたか
パターン設計やデバイス選定、ドライバ設計などやる機会があり、また、今後EMIについて取り組むことも有ると思うので非常に役立つと感じた。
ニックネーム：AIさん ｜
年齢：３０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１～２年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１～２年
受講日：2023/11/20
ID：5763
ID：5763
満足度
５.０
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
実際に手を動かしながら実験をすることができたので、非常に理解が深まりやすいと思いました。
座学に関しては、最初のパワーデバイスの物性の話がかなり速足だったので予備知識がなければ難しいように感じました。
セミナーは役に立つと感じたか
今後の役に立つと感じました。特に実験用の基板一式や測定器との接続など、実物を見ないと中々イメージできないものだったり、自社のものとの違いを確認することができたことが非常に今後の役に立つと感じました。
これから受講したい講座
今回のような実際に実験できるような内容のセミナーがあれば是非参加したいです。
ニックネーム：T.Nさん ｜
年齢：３０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：未経験
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：未経験
受講日：2023/11/20
ID：5757
ID：5757
満足度
４.８
わかりやすさ
５
理解度
４
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
測定を実際に行えた事が非常に良かった。デバイスの波形を実際に見れただけではなく、測定系（オシロ、プローブなど）もさわれた事が経験となった。
セミナーは役に立つと感じたか
今後役に立つと思います。ただ、パワエレ回路の知識が乏しく、周りの方のスピードについていくことが大変だったので、もう一度波形を整理し直して、知識を定着させたいと思う。
その他・ご意見など
事前にテキストを頂けた事は良かった。
ニックネーム：なかさん ｜
年齢：３０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１～２年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１～２年
受講日：2023/11/20
ID：5756
ID：5756
満足度
４.５
わかりやすさ
５
理解度
４
時間配分
４
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
測定の難しさを実感できてよかった。
セミナーは役に立つと感じたか
回路設計者がどのように考えているかなど知れたので、役に立ちそう。
これから受講したい講座
電気測定に関するセミナー
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：３０代
職種：研究 ｜ パワエレ経験：１～２年
職種：研究 ｜ パワエレ経験：１～２年
受講日：2023/11/20
ID：5762
ID：5762
満足度
４.５
わかりやすさ
４
理解度
４
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
実際の回路に触れ、波形やダブルパルス試験をより理解できた。
セミナーは役に立つと感じたか
役立つ
これから受講したい講座
eAxleセミナー（機電一体）
その他・ご意見など
前半の理論部、もう少し時間欲しかったです。
寄生Ls,Cの改善方法など設計観点のノウハウも知れるとさらに良いと思いました。
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：２０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2023/11/20
ID：5759
ID：5759
満足度
４.３
わかりやすさ
５
理解度
５
時間配分
２
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
講義だけでなく、実際に動かし波形を取得する点が良かった。
セミナーは役に立つと感じたか
半導体素子を評価する際に役立つと思う。
これから受講したい講座
モータ関連
その他・ご意見など
測定技術やパターンによる差分も見たいと感じた。
ニックネーム：匿名さん ｜
年齢：２０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：３～５年
受講日：2023/11/20
ID：5760
ID：5760
満足度
４.３
わかりやすさ
３
理解度
４
時間配分
５
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
８種のデバイスと比較はなかなかできないため、非常によかった。初の現地セミナーでしたが、いい雰囲気でした。
セミナーは役に立つと感じたか
多くのデバイスを評価させていただき、それぞれの特徴、条件による違いは役立つと思いました。
これから受講したい講座
今のところなし
その他・ご意見など
なし
ニックネーム：もさん ｜
年齢：４０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１０年以上
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：１０年以上
受講日：2023/11/20
ID：5754
ID：5754
満足度
４.０
わかりやすさ
４
理解度
４
時間配分
３
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
実際に回路を使って測定できたのが良かった。写真もとり放題なので良かった。
セミナーは役に立つと感じたか
仕事上での測定に自身が持てるので（セミナーでやったことを正して考えられる）役立つと思います。
その他・ご意見など
お弁当が豪華
ニックネーム：なべさん ｜
年齢：３０代
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：６～１０年
職種：開発・設計 ｜ パワエレ経験：６～１０年
受講日：2023/11/20
ID：5755
ID：5755
満足度
４.０
わかりやすさ
５
理解度
４
時間配分
２
雰囲気
５
セミナーを受講した印象
実験をして複数のデバイス特性を比較できて大変ためになった。
セミナーは役に立つと感じたか
回路設計の時に役立つと感じた。
その他・ご意見など
追加で基板実装の注意点についても実技を交えて学べるとよかった。