［PSIM］理想スイッチ時のIGBTとFETの違いについて
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- 匿名希望さん
- 2014/11/19
スイッチ素子は理想スイッチとのことですが、IGBTとFETの違いは何ですか？
IGBTは飽和電圧を設定することができます。
またMOSFETではオン抵抗の温度係数の設定ができます。
PSIM Ver.10ではMOSFETの過渡応答を考慮したモデルが追加されました。
MOSFET(3-ステート)を「レベル2」でご使用ください。
詳細はユーザーズガイドをご参照ください。
スイッチ素子は理想スイッチとのことですが、IGBTとFETの違いは何ですか？
IGBTは飽和電圧を設定することができます。
またMOSFETではオン抵抗の温度係数の設定ができます。
PSIM Ver.10ではMOSFETの過渡応答を考慮したモデルが追加されました。
MOSFET(3-ステート)を「レベル2」でご使用ください。
詳細はユーザーズガイドをご参照ください。