カテゴリ | 回路シミュレータPSIM |
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タイトル | [PSIM]Thermal Module素子使い方について |
質問者 | 匿名希望 |
投稿日時 | 2014/10/09 00:25:00 |
Thermal Moduleを使用して、IGBT(Databese)のDisecrete Typeを新規登録し、シミュレーションを実行しようとしたところ、以下のようなエラーメッセージが表示されます。対策を教えてください。 Error Message: The voltage Vcc in the test condition of the turn-on/turn-off characteristics(Esw_onv.s.Ic or Esw_off vs.Ic)must be greater than 0! ![]() |
回答者 | パワエレマスター |
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回答日時 | 2014/10/09 00:25:00 |
添付ファイル | |
回答 Device Database Editorを起動して、使用したいIGBTデバイスを選択し、Eon vs. Ic(あるいはEoff vs. .Ic)をクリックすると、ダイアログ・ウィンドウが表示されます。その「Edit」をクリックしてください。 次に、「Other Test Conditions」ブロックをクリックしてください。ここの「DCバス電圧(V)」の値を0以上に設定してください。 ※注)PSIM v11.1.2以前で作成したIGBT素子を使用したときに起こります。v11.1.3以降では画面が異なります。データベース作成時の注意点についてはテクニカルノート「PSIMによる熱モジュールを利用したIGBTとMOSFETの損失計算」のp.7~8をご参照ください。 ![]() |